Heimtechnik von CDIL(272 Treffer)
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Transistor 2SC 1213 NPN 35V 0,5A TO-92
Gehäuse: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung: 45 VEmitter-Base-Spannung: 5VKollektorstrom: 0,2 AVerslustleistung @ Tamb...
BC108C ist ein bipolarer 25V-NPN-Planar-Epitaxial-Siliziumtransistor für universelle Verstärker oder...
NPN-Allzwecktransistoren, besonders geeignet für den Einsatz in Treiberstufen von Audioverstärkern, rauscharmen...
SMD-Zenerdiode Serie BZX 84Marking: Z3Gehäuse: SOT 23Technische Merkmaleperiodischer Durchlass-Spitzenstrom:...
Kollektor-Emitter-Spannung: -30 VKollektor-Base-Spannung: -50 VEmitter-Base-Spannung: -5 VKollektorstrom:...
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SMD-Zenerdiode BZX 84Gehäuse: SOT 23
Schaltung und Verstärker• hohe Spannung: BC556, VCEO= -65V• geringes Rauschen: BC559, BC560• Ergänzung...
SMD-Super Fast Gleichrichterdioden 2A
BC108C ist ein bipolarer 25V-NPN-Planar-Epitaxial-Siliziumtransistor für universelle Verstärker oder...
BeschreibungDie CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N2219 und 2N2219A sind Silizium-NPN-Transistoren, die nach dem...
Planar Epitaxial Schaltdiode, DO35, 100V, 0,15A
Beschreibung• NPN-Transistor mittlerer Leistung in einem TO-39-MetallgehäuseEigenschaften• niedriger...
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Transistor 2SC 2073 NPN 150V 1,5A TO-220
2SA 673
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Gehäuse: TO-92
ZenerdiodeGehäuse: DO-204AF (DO-29) / 17-02 / 017AA
Gehäuse: SOT-23
Silizium-Diac DB3 Bidirektionale Trigger-Dioden DB3Passiviertes PNPN-Gerät aus Glas im axialen Gehäuse.Beschreibung:Als...
BeschreibungDie 2N1613 und 2N1711 sind planare epitaktische Silizium-NPN-Transistoren im TO-39 Metallgehäuse...
Die gegen elektrostatische Aufladung empfindlichen Elemente werden sorgfältig in einer speziellen ESD-Zone...
Gehäuse: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung: -180 VKollektor-Base-Spannung: -180 VEmitter-Base-Spannung: -6 VKollektorstrom:...
Transistor 2SC 2240 NPN 120V 0,1A TO-92hFE Ausführung: GR
Eigenschaften• diese Geräte sind Pb-frei, halogenfrei/BFR-frei und RoHSC-konform
Typische Anwendungen• signalverarbeitung• Schalten• Verstärken• StandardausführungBesonderheiten• Universell...
BeschreibungDer 2N4033 ist ein Silizium Planar Epitaxial PNP Transistor im primären TO-39 Metallgehäuse...
BeschreibungBIC 177, BC 178 und BC 179 sind epitaktische PNP-Silizium-Planartransistoren im TO 18-Gehäuse...
hFE: 200 – 400Kollektor-Base-Spannung: 60 VKollektor-Emitter-Spannung: 50 VEmitter-Base-Spannung: 5VKollektorstrom:...
Gehäuse: TO-92
Gehäuse: TO-92
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Schaltung und Verstärker• hohe Spannung: BC556, VCEO= -65V• geringes Rauschen: BC559, BC560• Ergänzung...
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Der BC107B ist ein bipolarer Einzeltransistor (BJT) mit einer Kollektor-Emitter-Spannung von 45 V bei...
period. Durchlass-Spitzenstrom: 2 AGesamtverlustleistung: 0,15 WBetriebstemperatur: -40 -125 °C
Gehäuse: SOT-23
Transistor 2SC 1815 NPN 50V 0,15A TO-92
SMD-Zenerdiode BZX 84Gehäuse: SOT 23
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Transistor 2SC 1008 NPN 80V 0,7A TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung: 50 VKollektor-Base-Spannung: 60 VEmitter-Base-Spannung: 6 VKollektorstrom:...
Gehäuse: SOT-23
SMD-Zenerdiode BZX 84Gehäuse: SOT 23
Kollektor-Emitter-Spannung: 45 VEmitter-Base-Spannung: 6 VKollektorstrom: 0,1 AVerlustleistung @Ta=25...
PNP-Silizium-SchalttransistorDiese Familie von 2N2904- und 2N2905A-Schalttransistoren ist militärisch...
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Gehäuse: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung: -45 VEmitter-Base-Spannung: -5 VKollektorstrom: -0,2 AVerlustleistung @Ta=25...
ZenerdiodeGehäuse: SOD-27
2SA 970hFE Ausführung: GR
Eigenschaften• Durchgangsloch-Paket• 150°C Sperrschichttemperatur• Gehäuse-Material: Geformter Kunststoff....
Absolute HöchstwerteTemperaturen• Lagertemperatur...-65° bis 200°C• Temperatur am Betriebsübergang...200°CVerlustleistung...
Merkmale• hoher Strom• hohe Verlustleistung• zwei Stromverstärkungsstufen wählbarAnwendungen• lineare...
Kollektor-Emitter-Spannung: 45 VEmitter-Base-Spannung: 7 VKollektorstrom: 0,2 AVerlustleistung @Ta=25...
Gehäuse: TO-92
ZenerdiodeGehäuse: DO-204AF (DO-29) / 17-02 / 017AA
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SMD-Super Fast Gleichrichterdioden 2A
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Typische Anwendungen• Signalverarbeitung• Schalten• Verstärken• Standardausführung• Suffix -Q: AEC-Q101...
Gehäuse: SOT-223
Gleichrichterdiode, DO5, 400V, 0,5A
Eigenschaften• hoher Strom (max. 1 A)• niedrige Spannung (max. 80 V)Anwendungen• Treiberstufen von Audio-/Video-VerstärkernBeschreibung•...
NPN-Silizium-NF-Transistor• für allgemeine AF-Anwendungen• hoher Kollektorstrom• hohe Stromverstärkung-...
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Eigenschaften• Schalt- und Verstärkeranwendungen• Ergänzung zu BC637• diese Bauteile sind Pb-frei, halogenfrei/BFR-frei...
Gehäuse: TO-92
Ultrakurzzeit-Leistungsgleichrichter für OberflächenmontageDO-214AB(SMC)Alternative für MURS360T3G /...
Kollektor-Emitter-Spannung: 80 VKollektor-Base-Spannung: 80 VEmitter-Base-Spannung: 4 VKollektorstrom:...
Universalverstärker und SchalterTechnische Merkmale• VCE: 30 V• VCB: 60 V• VEB: 5 V• Verlustleistung:...
Eigenschaften:• hoher Strom (max. 1 A)• niedrige Spannung (max. 60 V)Anwendungen• allgemeines Schalten...
BeschreibungDie 2N3439 und 2N3440 sind epitaktische Silizium planare NPN-Transistoren im TO-39 Metallgehäuse...
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SMD-Super Fast Gleichrichterdioden 3A
Kollektor-Emitter-Spannung: -45 VKollektor-Base-Spannung: -50 VEmitter-Base-Spannung: -5VKollektorstrom:...
Gehäuse: TO-92
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BeschreibungDies ist ein Silizium-NPN-Transistor in einem TO-39-Gehäuse, der hauptsächlich für Verstärker-...
ZenerdiodeGehäuse: DO-204AF (DO-29) / 17-02 / 017AA
Gehäuse: TO-92
Fast-Recovery-Gleichrichterdiode, DO41, 50V, 1A
BeschreibungDer 2N3700 ist ein planarer epitaktischer Silizium-NPN Transistor im TO-18-Metallgehäuse...
Eigenschaften:• PNP-Silizium-Planar-Schalttransistor• schnell schaltende Bauelemente mit kurzen Ausschaltzeiten...
Thyristor 4A / 600V, TO-225AA
Eigenschaften• niedrige RückkopplungskapazitätenAnwendungen• vorgesehen für Klasse-B-Videoausgangsstufen...
Gehäuse: SOT-223
SMD-Super Fast Gleichrichterdioden 2A
ZenerdiodeGehäuse: SOD-27
Gehäuse: TO-39
Gehäuse: TO-92
Schaltung und Verstärker• hohe Spannung: BC556, VCEO= -65V• geringes Rauschen: BC559, BC560• Ergänzung...
Eigenschaften• Schaltung und Verstärker• Hochspannung: BC546, V CEO = 65 V• rauscharm: BC549, BC550•...
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Gehäuse: TO-92