BSM120D12P2C005 - SiC-MOSFET Half-Bridge+2xSBD, 1200V 134A C-Park
Produktbeschreibung
SiC Leistungs-MOSFETMerkmaleNiedrige Anstiegs und niedrige SchaltverlusteHohe Schaltgeschwindigkeiten möglichReduzierte TemperaturabhängigkeitAnwendungMotorantriebWechselrichter, UmrichterPhotovoltaik, WindenergieerzeugungInduktionsheizgeräteAufbauDieses Produkt ist ein Halbbrückenmodul bestehend aus SiC-DMOS und SiC SBD von ROHM