Geräte von IXYS(150 Treffer)
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Polar3TM HiPerFET Leistungs-MOSFETN-Kanal-VerstärkungsmodusSchnelle intrinsische Diode
Power MOSFETN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFeaturesInternational Standard PackagesLow RDS(on)...
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Fast Recovery Epitaxial Diode
Power MOSFETN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic RectifierFeaturesInternational Standard...
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Polar Leistungs-MOSFETN-Kanal-VerstärkungsmodusSchnelle intrinsische Diode
Gleichrichter führender Hersteller. Bitte beachten Sie wie immer unsere umfangreiche Dokumentation, welche...
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DSI30-16AS SMD-Standard-Gleichrichter-EinzeldiodeMerkmale / Vorteile:• Planar passivierte Chips• Sehr...
Thyristoren für den Betrieb an NetzspannungBei den Kunststoffgehäusen bildet die Gehäuserückseite die...
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Hochspannungs-BiMOSFET Monolithischer bipolarer MOS-TransistorN-Kanal, AnreicherungsmodusMerkmale:• Hohe...
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Power MOSFETN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeFeaturesInternational Standard...
TrenchP Power MOSFETP-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFeaturesInternational Standard PackagesAvalanche...
Power MOSFETP-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFeaturesSilicon Chip on Direct-Copper Bond (DCB)...
The LCA110 is a 1-Form-A Solid State Relay which uses optically coupled MOSFET technology to provide...
TrenchT2 HiperFETPower MOSFETN-Channel Enhancement Mode Avalanche RatedFast Intrinsic DiodeFeaturesHigh...
PolarP Power MOSFETsP-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFeaturesInternational Standard PackagesAvalanche...
Power MOSFETN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeFeaturesInternational standard...
Fast Recovery Epitaxial Dioden (FRED) zur Verwendung als FreilaufdiodeSoft-Recovery-Verhalten vermeidet...
TrenchP Leistungs-MOSFETP-Kanal Anreicherungsmodus
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DSI30-16A Standard-Gleichrichter-EinzeldiodeMerkmale / Vorteile:• Planar passivierte Chips• Sehr niedriger...
PolarHV HiPerFET Power MOSFETN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeFeaturesInternational...
LAA110, Zweifach einpoliges OptoMOS®-RelaisBeschreibung:Das LAA110 ist ein Dual 1-Form-A Solid State...
Power MOSFETN-Channel Enhancement ModeGuaranteed FBSOAAvalanche RatedFeaturesDesigned for Linear OperationInternational...
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Power MOSFETN-Channel Enhancement ModeFast Intrinsic DiodeFeaturesSilicon Chip on Direct-Copper Bond...
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Polar HiPerFET Power MOSFETN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFeaturesInternational Standard PackagesLow...
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Power MOSFETN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic RectifierFeaturesInternational Standard...
Merkmale• internationale Standardgehäuse• niedriger RDS (on) HDMOSTM-Prozess• robuste Polysilizium-Gate-Zellenstruktur•...
Fast Recovery Epitaxial Dioden (FRED) zur Verwendung als FreilaufdiodeSoft-Recovery-Verhalten vermeidet...
HiPerFET™ Leistungs-MOSFET stehen jetzt auch als Q-Klasse zur Verfügung. Bei dieser Reihe wurde durch...
Power MOSFETN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeFeaturesInternational Standard...
Fast Recovery Epitaxial Diode
TrenchP Power MOSFETP-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFeaturesInternational Standard PackagesAvalanche...
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Power MOSFET Single Die MOSFETFeatures• International standard packages• Encapsulating epoxy meets UL...
Eigenschaften• internationale Standard-Gehäuse• schnelle intrinsische Diode• Avalanche-Bewertung• niedriger...
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Power MOSFETN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic RectifierFeaturesInternational Standard...
PolarHT HiPerFET Power MOSFETN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeFeatures• International...
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Power MOSFETN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeFeaturesInternational Standard...
Beschreibung Br�ckengleichrichter Gleichrichter f�hrender Hersteller. Bitte beachten Sie wie immer unsere...
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Power MOSFETISOPLUS247TM(Electrically Isolated Back Surface)N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast...
Fast Recovery Epitaxial Diode
Merkmale• internationale Standardgehäuse• schnelle intrinsische Diode• geringe Gehäuseinduktivität -...
Fast Recovery Epitaxial Diode
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Power MOSFETN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeFeaturesInternational Standard...
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Polar Leistungs-MOSFETP-Kanal Anreicherungsmodus
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Polar3TM HiperFETTMPower MOSFETN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic RectifierFeaturesFast...
LBA110 is 350V, 120mA, 35? independent 1-Form-A and 1-Form-B relays. It is designed to provide an ideal...
PolarP Power MOSFETP-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFeaturesInternational Standard PackagesAvalanche...
Polar HiPerFET Power MOSFETN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFeaturesInternational Standard PackagesLow...
Power MOSFETN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeFeaturesDynamic dv/dt RatingAvalanche...
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X3-Class HiPerFET Leistungs-MOSFETN-Kanal-VerstärkungsmodusSchnelle intrinsische Diode
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HiperFETPower MOSFETsQ3-ClassN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic RectifierFeaturesLow...
PolarHV HiPerFETPower MOSFETN-Channel Enhancement Mode = 200 nsAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeFeaturesInternational...
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Fast Recovery Epitaxial Diode
Avalanchediode, FP-CASE, 1600V, 2,3AMerkmale• Kunststoff-Standardverpackung• Planare passivierte ChipsVorteile:•...
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Gleichrichter führender Hersteller. Bitte beachten Sie wie immer unsere umfangreiche Dokumentation, welche...
Power MOSFETHiPerFETN-Channel Enhancement Mode = 300nsAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeFeaturesInternational...
Linear Power MOSFET w/ Extended FBSOAN-Channel Enhancement ModeGuaranteed FBSOAAvalanche RatedFeaturesDesigned...
Power MOSFETP-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFeaturesInternational Standard PackagesRugged PolarPTM...
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TrenchP Power MOSFETsP-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFeaturesInternational Standard PackagesAvalanche...
Hochspannungs-Hochverstärkungs-BiMOSFET Monolithischer bipolarer MOS-TransistorMerkmale:• Hohe Sperrspannung•...
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Polar HiPerFET Power MOSFETN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic RectifierFeaturesInternational...
Fast Recovery Epitaxial Dioden (FRED) zur Verwendung als FreilaufdiodeSoft-Recovery-Verhalten vermeidet...
Power MOSFETN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedHigh dv/dt, Low trrFeaturesInternational standard...
LBA110 is 350V, 120mA, 35? independent 1-Form-A and 1-Form-B relays. It is designed to provide an ideal...
Fast Recovery Epitaxial Diode
Polar2TM HiPerFETTM Power MOSFETN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic Diode
VUO...-...NO1: In Modulbauweise mit DCB - Keramikboden und Print-AnschlüssenVUO...-...NO7: In Modulbauweise...
TrenchMV Power MOSFETN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFeaturesInternational standard packages175°C...