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Polar3TM HiPerFET Leistungs-MOSFETN-Kanal-VerstärkungsmodusSchnelle intrinsische Diode

Power MOSFETN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFeaturesInternational Standard PackagesLow RDS(on)...

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Fast Recovery Epitaxial Diode
-0,0052-Ohm,-SOT-227B-von-IXYS-2159070675.png)
Power MOSFETN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic RectifierFeaturesInternational Standard...
-Modul-Y1-CU-1600V-560A-von-IXYS-2159685989.jpg)
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Polar Leistungs-MOSFETN-Kanal-VerstärkungsmodusSchnelle intrinsische Diode

X3-Class HiPerFET Leistungs-MOSFETN-Kanal-VerstärkungsmodusSchnelle intrinsische Diode

Gleichrichter führender Hersteller. Bitte beachten Sie wie immer unsere umfangreiche Dokumentation, welche...

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-von-IXYS-2159037657.png)
DSI30-16AS SMD-Standard-Gleichrichter-EinzeldiodeMerkmale / Vorteile:• Planar passivierte Chips• Sehr...

Thyristoren für den Betrieb an NetzspannungBei den Kunststoffgehäusen bildet die Gehäuserückseite die...

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Hochspannungs-BiMOSFET Monolithischer bipolarer MOS-TransistorN-Kanal, AnreicherungsmodusMerkmale:• Hohe...

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Power MOSFETN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeFeaturesInternational Standard...

TrenchP Power MOSFETP-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFeaturesInternational Standard PackagesAvalanche...

Power MOSFETP-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFeaturesSilicon Chip on Direct-Copper Bond (DCB)...

The LCA110 is a 1-Form-A Solid State Relay which uses optically coupled MOSFET technology to provide...
-0,012-Ohm,-TO-247AD-von-IXYS-2159070656.png)
TrenchT2 HiperFETPower MOSFETN-Channel Enhancement Mode Avalanche RatedFast Intrinsic DiodeFeaturesHigh...

PolarP Power MOSFETsP-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFeaturesInternational Standard PackagesAvalanche...

Power MOSFETN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeFeaturesInternational standard...

Fast Recovery Epitaxial Dioden (FRED) zur Verwendung als FreilaufdiodeSoft-Recovery-Verhalten vermeidet...

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DSI30-16A Standard-Gleichrichter-EinzeldiodeMerkmale / Vorteile:• Planar passivierte Chips• Sehr niedriger...

PolarHV HiPerFET Power MOSFETN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeFeaturesInternational...

LAA110, Zweifach einpoliges OptoMOS®-RelaisBeschreibung:Das LAA110 ist ein Dual 1-Form-A Solid State...

Power MOSFETN-Channel Enhancement ModeGuaranteed FBSOAAvalanche RatedFeaturesDesigned for Linear OperationInternational...
-PLUS-247-3-1200V-80A-von-IXYS-2159689331.jpg)
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Power MOSFETN-Channel Enhancement ModeFast Intrinsic DiodeFeaturesSilicon Chip on Direct-Copper Bond...

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Polar HiPerFET Power MOSFETN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFeaturesInternational Standard PackagesLow...

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-0,056-Ohm,-SOT-227B-von-IXYS-2159099819.png)
Power MOSFETN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic RectifierFeaturesInternational Standard...

Fast Recovery Epitaxial Dioden (FRED) zur Verwendung als FreilaufdiodeSoft-Recovery-Verhalten vermeidet...
-0,23-Ohm,-TO-247-von-IXYS-2159013658.png)
HiPerFET™ Leistungs-MOSFET stehen jetzt auch als Q-Klasse zur Verfügung. Bei dieser Reihe wurde durch...

Power MOSFETN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeFeaturesInternational Standard...

Fast Recovery Epitaxial Diode
-0,039-Ohm,-TO220AB-von-IXYS-2159129143.png)
TrenchP Power MOSFETP-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFeaturesInternational Standard PackagesAvalanche...

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-0,090R,-SOT-227B-von-IXYS-2159070679.png)
Power MOSFET Single Die MOSFETFeatures• International standard packages• Encapsulating epoxy meets UL...
-0,085-Ohm,-TO-264AA-von-IXYS-2159021462.png)
Eigenschaften• internationale Standard-Gehäuse• schnelle intrinsische Diode• Avalanche-Bewertung• niedriger...

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Power MOSFETN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic RectifierFeaturesInternational Standard...
-0,011-Ohm,-SOT-227B-von-IXYS-2159070672.png)
PolarHT HiPerFET Power MOSFETN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeFeatures• International...

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Power MOSFETN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeFeaturesInternational Standard...
-1200-V-(VBO40-12NO6)-von-IXYS-2245745990.gif)
Beschreibung Brückengleichrichter Gleichrichter führender Hersteller. Bitte beachten Sie wie immer unsere...

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Power MOSFETISOPLUS247TM(Electrically Isolated Back Surface)N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast...

Fast Recovery Epitaxial Diode

Merkmale• internationale Standardgehäuse• schnelle intrinsische Diode• geringe Gehäuseinduktivität -...

Fast Recovery Epitaxial Diode

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High Voltage Power MOSFETN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeFeaturesInternational...
-0,0026-Ohm,-SOT227B-von-IXYS-2159070677.png)
Power MOSFETN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeFeaturesInternational Standard...

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Polar Leistungs-MOSFETP-Kanal Anreicherungsmodus

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Polar3TM HiperFETTMPower MOSFETN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic RectifierFeaturesFast...

LBA110 is 350V, 120mA, 35? independent 1-Form-A and 1-Form-B relays. It is designed to provide an ideal...
-1-Ohm,-TO220AB-von-IXYS-2159070700.png)
PolarP Power MOSFETP-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFeaturesInternational Standard PackagesAvalanche...

Polar HiPerFET Power MOSFETN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFeaturesInternational Standard PackagesLow...

Power MOSFETN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeFeaturesDynamic dv/dt RatingAvalanche...

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-0,2-Ohm,-TO-247AD-von-IXYS-2159070659.png)
HiperFETPower MOSFETsQ3-ClassN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic RectifierFeaturesLow...

PolarHV HiPerFETPower MOSFETN-Channel Enhancement Mode = 200 nsAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeFeaturesInternational...

Power MOSFETN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic RectifierFeatures• International...

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Fast Recovery Epitaxial Diode

Avalanchediode, FP-CASE, 1600V, 2,3AMerkmale• Kunststoff-Standardverpackung• Planare passivierte ChipsVorteile:•...

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Gleichrichter führender Hersteller. Bitte beachten Sie wie immer unsere umfangreiche Dokumentation, welche...

Power MOSFETHiPerFETN-Channel Enhancement Mode = 300nsAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeFeaturesInternational...
-0,011-Ohm,-TO264AA-von-IXYS-2159070694.png)
Linear Power MOSFET w/ Extended FBSOAN-Channel Enhancement ModeGuaranteed FBSOAAvalanche RatedFeaturesDesigned...

Power MOSFETP-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFeaturesInternational Standard PackagesRugged PolarPTM...

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-0,013-Ohm,-TO220AB-von-IXYS-2159070711.png)
TrenchP Power MOSFETsP-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFeaturesInternational Standard PackagesAvalanche...

Hochspannungs-Hochverstärkungs-BiMOSFET Monolithischer bipolarer MOS-TransistorMerkmale:• Hohe Sperrspannung•...

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Polar HiPerFET Power MOSFETN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic RectifierFeaturesInternational...

Fast Recovery Epitaxial Dioden (FRED) zur Verwendung als FreilaufdiodeSoft-Recovery-Verhalten vermeidet...

Power MOSFETN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedHigh dv/dt, Low trrFeaturesInternational standard...

LBA110 is 350V, 120mA, 35? independent 1-Form-A and 1-Form-B relays. It is designed to provide an ideal...

Fast Recovery Epitaxial Diode

Polar2TM HiPerFETTM Power MOSFETN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic Diode

VUO...-...NO1: In Modulbauweise mit DCB - Keramikboden und Print-AnschlüssenVUO...-...NO7: In Modulbauweise...
-0,018-Ohm,-TO220AB-von-IXYS-2159070709.png)
TrenchMV Power MOSFETN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFeaturesInternational standard packages175°C...