Freizeit & Bauelemente von NXP(40 Treffer)
Freizeit & Bauelemente
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NXP - Angebote zu Freizeit & Bauelemente zum Vergleichen und Entdecken
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Kleinleistungsthyristor, Gehäuse Sot78, periodische Spitzensperrspannung 500 V, Durchlassstrom eff. 12...
Leistungsthyristor, Gehäuse To220, periodische Spitzensperrspannung 800 V, Durchlassstrom eff. 25 A,...
-1-Stueck-von-NXP-2184142629.jpg "NXP MICROPROCESSOR, 400MHZ, 32BIT, TEPBGA, Mikroprozessoren-ICs (MPC5200CVR400BR2) 1 Stück")
NXP MICROPROCESSOR, 400MHZ, 32BIT, TEPBGA, Mikroprozessoren-ICs (MPC5200CVR400BR2) 1 Stück
Kleinleistungsthyristor, Gehäuse Sot54, periodische Spitzensperrspannung 400 V, Durchlassstrom eff. 0,8...
NPN mit Widerständen bestückter Transistoren R1 = 2.2 kR2 = 2.2 kFEATURES• Eingebaute Vorwiderstände•...
Kunststoffgehäuse für Oberflächenmontage; Kollektorkissen für gute Wärmeübertragung; 3 Leitungen
Sensorwiderstand: 1980...2020, Temperaturkoeffizient bei 25 °C: 0,79 %/K, Strom: 10 mA, Temperaturbereich:...
Urrm 600 V, Itrms 12 A, Tc 56 °C, Itsm 95 A, Igt 35 mA, Sot-186. Technische Daten: Typ: Triac Gehäuse:...
Schottky-Barriere-DiodenBeschreibungPlanare Schottky-Barriere-Dioden mit einem integrierten Schutzring...
Silizium-Schottky-DiodenBeschreibung:Allzweck-Schottky-Dioden in kleinem SMD-Kunststoff (Surface-Mounted...
BeschreibungLow-Power-Spannungsreglerdioden in einem sehr kleinen SOD323 (SC-76) Kunststoff-SMD-Gehäuse...
32 Bit MCU, Cortex-M3, 72 MHz, lqfp-64 Zustand: Neu IC 'S Mikrocontroller Mikro-Controllern (MCU) – 32...
-von-NXP-2159036613.png "BC807DS - Double PNP Transistor 45V, 0.5A SOT457 (SC-74)")
FEATURESHigh current (500 mA)600 mW total power dissipationReplaces two SOT23 packaged transistors on...
Zener-Diode Gehäuse DO41 Spannung: 5,1 V Leistung: 1,3 W
Zener-Diode Gehäuse DO41 Spannung: 2,7 V Leistung: 1,3 W
Kleinleistungsthyristor, Gehäuse Sot78, periodische Spitzensperrspannung 800 V, Durchlassstrom eff. 12...
-1-Stueck-von-NXP-2184140243.jpg "CAN TRANSCEIVER, AEC-Q100, 5MBPS, SOIC14, CAN Interface ICs (TJA1048T,118) 1 Stück")
CAN TRANSCEIVER, AEC-Q100, 5MBPS, SOIC14, CAN Interface ICs (TJA1048T,118) 1 Stück
Urrm 800 V, Itrms 16 A, Tc 38 °C, Itsm 155 A, Igt 35 mA, To-220. Technische Daten: Typ: Triac Gehäuse:...
Zener-Diode Gehäuse DO41 Spannung: 3,6 V Leistung: 1,3 W
Cortex(R)-M0+-Mikrocontroller,-TSSOP-20-von-NXP-2159071669.png "LPC812M101JDH - ARM®Cortex®-M0+ Mikrocontroller, TSSOP-20")
32-bit ARM Cortex-M0+ microcontroller; up to 16 kB flash and 4 kB SRAMDie Peripherie des LPC81xM umfasst...
LPC2131/32/34/36/38Single-Chip-16/32-Bit-Mikrocontroller; 32/64/128/256/512 kBISP/IAP-Flash mit 10-Bit-ADC...
Urrm 600 V, Itrms 12 A, Tc 99 °C, Itsm 95 A, Igt 35 mA, To-220. Technische Daten: Typ: Triac Gehäuse:...
PNP mit Widerständen bestückter Transistoren R1 = 2.2 kR2 = 2.2 k
Schottky-Barriere-DiodenBeschreibungPlanare Schottky-Barriere-Dioden mit einem integrierten Schutzring...
Leistungsthyristor, Gehäuse To220, periodische Spitzensperrspannung 800 V, Durchlassstrom eff. 20 A,...
Cortex(R)-M0+-Mikrocontroller,-TSSOP-20-von-NXP-2197892147.png "LPC824M201JDH - ARM®Cortex®-M0+ Mikrocontroller, TSSOP-20")
Die LPC82x-MCU-Familie bietet eine höhere Integration als die LPC81x-MCU-Familie mit einem größeren Speicher-Footprint,...
Silizium-Schottky-DiodenBeschreibung:Allzweck-Schottky-Dioden in kleinem SMD-Kunststoff (Surface-Mounted...
Urrm 600 V, Itrms 8 A, Tc 102 °C, Itsm 65 A, Igt 35 mA, Sot-186. Technische Daten: Typ: Triac Gehäuse:...
-1-Stueck-von-NXP-2183993827.jpg "MPU, 32BIT, CORTEX-A9, 800MHZ, MAPBGA624, Mikroprozessoren-ICs (MCIMX6S7CVM08AC) 1 Stück")
MPU, 32BIT, CORTEX-A9, 800MHZ, MAPBGA624, Mikroprozessoren-ICs (MCIMX6S7CVM08AC) 1 Stück
-von-NXP-2159036643.png "BC817DS - Double NPN Transistor 45V, 0.5A SOT457 (SC-74)")
FEATURESHigh current (500 mA)600 mW total power dissipationReplaces two SOT23 packaged transistors on...
Urrm 800 V, Itrms 12 A, Tc 99 °C, Itsm 95 A, Igt 35 mA, To-220. Technische Daten: Typ: Triac Gehäuse:...
-M0-Mikrocontroller,-40MHz-64KB-,-4KB-LQFP-64-von-NXP-2262482429.png "MKE02Z64VLH4R - Cortex®-M0 Mikrocontroller, 40MHz 64KB / 4KB LQFP-64")
- Betriebseigenschaften- Spannungsbereich: 2,7 bis 5,5 V- Bereich der Flash-Schreibspannung: 2,7 bis...
Zener-Diode. Gehäuse DO35. Spannung: 3,3 V. Leistung: 500 mW.
Zener-Diode Gehäuse DO41 Spannung: 51 V Leistung: 1,3 W
Zener-Diode. Gehäuse DO35. Spannung: 27 V. Leistung: 500 mW.
Urrm 800 V, Itrms 16 A, Tc 38 °C, Itsm 155 A, Igt 35 mA, Sot-186. Technische Daten: Typ: Triac Gehäuse:...
BeschreibungLow-Power-Spannungsreglerdioden in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device...
Best Price Square Transistor, NPN, SOT-23 BC847C Pack of 10 by NXP
I²C-Bus Port-Erweiterung, Smd.
Urrm 600 V, Itrms 16 A, Tc 99 °C, Itsm 155 A, Igt 35 mA, To-220. Technische Daten: Typ: Triac Gehäuse:...