Freizeit & Bauelemente von INFINEON(155 Treffer)
Freizeit & Bauelemente
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NPN mit Widerständen bestückter Transistor R1 = 10 kR2 = 10 k

600 V, 10 A IGBT Discrete mit rückwärts gerichteter Ansteuerung 2-Diode im TO-252 GehäuseRC-Drive 2 600...

Silizium-Schottky-DiodenMerkmale:• Für verlustarme, schnell wiederherstellende, Zählerschutz, Vorspannungsisolation...

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IKW25N120T21200V verlustarmes DuoPack IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ Technologie mit weicher, schnell...
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IRF4905STRLPBF Transistor: P-MOSFET unipolar -55V -74A 200W D2PAK Infineon (IRF)

NPN mit Widerständen bestückter Transistor R1 = 10 kR2 = 47 k

BSC028N06NSATMA1 Transistor: N-MOSFET unipolar 60V 100A 83W PG-TDSON-8 INFINEON

Darlington-Transistor, NPN, 60V, 0,5A, 0,36W, SOT-23

Verlustleistung: 0.175W Polarisierung: bipolar Transistor-Art: RF Transistor-Typ: NPN Gehäuse: SOT23

IKW50N65F5650V Hochgeschwindigkeits-5 FAST IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in Kombination...

Darlington-Transistor, PNP, 60V, 0,5A, 1W, SOT-89

IGW40N60H3600V Hochgeschwindigkeits-IGBT : IGBT in TRENCHSTOP™ und Fieldstop-TechnologieMerkmale und...

Die neue L5 IGBT-Familie von Infineon mit niedriger Sättigungsspannung (V CE(sat)) TRENCHSTOP™ IGBT-Familie...

IKP20N65H5650V Hochgeschwindigkeits-DuoPack IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in Kombination...

IKP40N65F5650V Hochgeschwindigkeits-DuoPack FAST IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in...

2X BSC123N08NS3GATMA1 Transistor: N-MOSFET unipolar 80V 55A 66W PG-TDSON-8 INFIN

Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszustand: 3.7mΩ Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art:...

IKP15N65F5650V Hochgeschwindigkeits-DuoPack FAST IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in...

IKW40N65H5650V Hochgeschwindigkeits-DuoPack IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in Kombination...

IKW40N120H31200V Hochgeschwindigkeits-DuoPack IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ und Fieldstop-Technologie...

IGW50N65H5650V Hochgeschwindigkeits-IGBT : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 TechnologieMerkmale und Vorteile:• Hochgeschwindigkeits-H5...

NPN mit Widerständen bestückter Transistor R1 = 22 kR2 = 47 k

IGW25N120H31200V Hochgeschwindigkeits-IGBT : IGBT in TRENCHSTOP™ und Fieldstop-TechnologieMerkmale und...

IGP06N60T600V Low Loss IGBT : IGBT in TRENCHSTOP™ und Fieldstop-TechnologieMerkmale und Vorteile:• Sehr...

Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszustand: 4.2mΩ Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art:...

Silizium-Schottky-DiodenMerkmale:• Für verlustarme, schnell wiederherstellende, Zählerschutz, Vorspannungsisolation...

IKP20N65F5650V Hochgeschwindigkeits-DuoPack FAST IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in...

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Gate-Ladung: 80nC Polarisierung: unipolar Technologie: HEXFET Drainstrom: 72A Drain-Source Spannung:...

High Speed 650 V, 40 A hart schaltender TRENCHSTOPTM IGBT5 in einem TO-247-Gehäuse, zusammen mit einer...

600 V, 6 A IGBT Discrete mit rückwärts gerichteter Ansteuerung 2-Diode im SOT-223 GehäuseRC treibt 2...

1200V DC-1 kHz (Standard) Discrete Automotive IGBT in a TO-247AC package Niedriger Vce(on) Optimiert...

Infineon TLE4284DV33ATMA1 Positiv LDO-Spannungsregler, SMD, 3,3 V / 1A, TO-252 3-Pin x 10 Stück

Verlustleistung: 1.8W Gehäuse: SOT223 Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszustand: 0.24Ω...

Uces 1200 V, Ics25 30 A, Icpuls 60 A, Ptot 217 W, Ugeth 5 V, tdon 21 ns, tdoff 260 ns, To-247. Technische...

IKW25T1201200V verlustarmes DuoPack IGBT und Diode : IGBT in TrenchStop®- und Fieldstop-Technologie mit...

Der hart schaltende 600 V, 15 A Einzel-TRENCHSTOP™ IGBT3 Discrete im TO263 D2Pak-Gehäuse führt dank der...

IGW15N120H31200V Hochgeschwindigkeits-IGBT : IGBT in TRENCHSTOP™ und Fieldstop-TechnologieMerkmale und...

8X BSS87H6327FTSA1 Transistor: N-MOSFET unipolar 240V 0.26A 1W SOT89-4 INFINEON

IKZ75N65EH5650V Hochgeschwindigkeits-5 IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in Kombination...

IGP40N65H5650V IGBT-Hochgeschwindigkeitsschalter der fünften Generation in TRENCHSTOP™ 5-TechnologieMerkmale...

Low Loss DuoPack : IGBT in TRENCHSTOP™ und Fieldstop-Technologie mit weicher, schnell wiederherstellender...

Low Loss DuoPack : IGBT in 2nd generation TrenchStop®with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled...

IGP40N65F5650V FAST IGBT-Hochgeschwindigkeitsschalter der fünften Generation in TRENCHSTOP™ 5-TechnologieMerkmale...

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Technische Daten: Polung: P-Ch Gehäuse: SO8 U-max: 30V I-max: 10A P-max: 2,5W

Die RC-Drives IGBT-Technologie wurde von Infineon als kostenoptimierte Lösung für den sensiblen Markt...

IPB025N10N3GATMA1 Transistor: N-MOSFET unipolar 100V 180A 300W PG-TO263-7 INFINE

Technische Daten: Polung: N-Ch Gehäuse: SO8 U-max: 30V I-max: 18A P-max: 2,5W

NPN mit Widerständen bestückter Transistor R1 = 10 kR2 = 10 k

Fast IGBT in NPT-technology• niedrigerer Eoff im Vergleich zur vorherigen Generation• Kurzschlussfestigkeit...

PNP mit Widerstand bestückterr Transistor R1 = 4.7 k

BCR512NPN-Silizium-Digitaltransistor 50V 500mA 330mW• Eingebauter Vorspannungswiderstand (R1= 4,7 kO,...

Der Hochgeschwindigkeits-TRENCHSTOP™ IGBT3 mit 600 V und 30 A in einem TO263 D2Pak-Gehäuse bietet den...

NPN mit Widerständen bestückter Transistor R1 = 47 kR2 = 47 k

Infineon ICE2HS01GXUMA1 Spannungsregler, Resonanzmodus-Controller, 1,5 V / 5mA, DSO 20-Pin x 10 Stüc...

• Leistungsstarke monolithische Body-Diode mit niedriger Durchlassspannungentwickelt für sanfte Kommutierung•...

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BCR191... , PNP-Silizium-Digital-TransistorMerkmale:• Schaltkreis, Inverter, Schnittstellenschaltung,...

IGP30N65F5650V FAST IGBT-Hochgeschwindigkeitsschalter der fünften Generation in TRENCHSTOP™ 5-TechnologieMerkmale...

IKA08N65F5650V Hochgeschwindigkeits-DuoPack FAST IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in...

600 V, 6 A IGBT Discrete mit antiparalleler Diode im TO263-GehäuseDer hart schaltende 600 V, 6 A TRENCHSTOP™...

Uces 650 V, Ics25 74 A, Icpuls 120 A, Ptot 255 W, Ugeth 3,2 V, tdon 19 ns, tdoff 160 ns, To-247. Technische...

IPB320N20N3GATMA1 Transistor: N-MOSFET unipolar 200V 34A 136W PG-TO263-3 INFINEO

IKW15T1201200V verlustarmes DuoPack IGBT und Diode : IGBT in TrenchStop®- und Fieldstop-Technologie mit...

IKW30N65H5650V Hochgeschwindigkeits-DuoPack IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in Kombination...

IGP20N65F5650V FAST IGBT-Hochgeschwindigkeitsschalter der fünften Generation in TRENCHSTOP™ 5-TechnologieMerkmale...

IGP30N65H5650V IGBT-Hochgeschwindigkeitsschalter der fünften Generation in TRENCHSTOP™ 5-TechnologieMerkmale...

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600 V, 1 A IGBT Discrete mit rückwärtsgerichteter Ansteuerung 2-Diode im SOT-223 GehäuseRC Drives 2 600...

BCR555... , PNP-Silizium-Digital-TransistorMerkmale:• Schaltkreis, Inverter, Schnittstellenschaltung,...
Cortex(R)-M0-Mikrocontroller,-64,16-KB,TSSOP-16-von-Infineon-2169159391.png)
32-Bit-Mikrocontroller mit ARM® Cortex®-M0 für eine breite Palette von preissensiblen Anwendungen, die...

Silizium-Schottky-DiodenMerkmale:• Für verlustarme, schnell wiederherstellende, Zählerschutz, Vorspannungsisolation...

600 V, 6 A IGBT Diskret im TO252-GehäuseDer hart schaltende 600 V, 6 A TRENCHSTOP™ IGBT3 in einem TO252-Gehäuse...

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BCR158... , PNP-Silizium-Digital-TransistorMerkmale: • Schaltkreis, Inverter, Interfaceschaltung, Treiberschaltung•...

PNP-Darlington-Transistor in einem SOT223-Kunststoffgehäuse. NPN-Ergänzungen: BSP50, BSP51 und BSP52

2X BSC093N04LSGATMA1 Transistor: N-MOSFET unipolar 40V 40A 35W PG-TDSON-8 INFINE

IGW40N65F5650V Hochgeschwindigkeits-FAST IGBT : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 TechnologieMerkmale und Vorteile:-...

IKP20N60TXKSA1 Transistor: IGBT 600V 20A 166W TO220-3 INFINEON TECHNOLOGIES

IKW50N65H5650V Hochgeschwindigkeits-DuoPack IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in Kombination...

Infineon TLE42662GSV33HTMA2 Positiv Low Drop Spannungsregler, SMD, 3,3 V / 500mA, SOT-223 3+Tab-Pin x...

BCV46, PNP-Silizium-Darlington-TransistorenMerkmale:• Für allgemeine NF-Anwendungen• Hoher Kollektorstrom•...

IKW15N120H31200V Hochgeschwindigkeits-DuoPack IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ und Fieldstop-Technologie...

Infineon ICE3BR1765JXKLA1 Spannungsregler, PWM-Motorsteuerung, PDIP 8-Pin x 10 Stück

Der hart schaltende 600 V, 10 A Einzel-TRENCHSTOP™ IGBT3 Discrete im TO263 D2Pak-Gehäuse führt dank der...

SPP80P06PHXKSA1 Transistor: P-MOSFET unipolar -60V -80A 340W PG-TO220-3 INFINEON

IGW50N65F5650V Hochgeschwindigkeits-FAST IGBT : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 TechnologieMerkmale und Vorteile:-...

Verpackungs-Art: Tube Gehäuse: PG-TO220-3 Widerstand im Leitungszustand: 0.13Ω Gate-Source Spannung:...

Kleinsignal Transistoren

600 V, 4 A IGBT Discrete mit rückwärts gerichteter Ansteuerung 2-Diode im SOT-223 GehäuseRC treibt 2...

NPN mit Widerständen bestückter Transistor R1 = 2.2 kR2 = 10 k

PNP-Silizium-Darlington-Transistoren• hoher Kollektorstrom• niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung•...

600 V, 1 A IGBT Discrete mit rückwärtsgerichteter Ansteuerung 2-Diode im SOT-223 GehäuseRC Drives 2 600...

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PNP mit Widerständen bestückter Transistor R1 = 10 kR2 = 47 k

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