Freizeit & Bauelemente von INFINEON(141 Treffer)
Freizeit & Bauelemente
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NPN mit Widerständen bestückter Transistor R1 = 10 kR2 = 10 k
600 V, 10 A IGBT Discrete mit rückwärts gerichteter Ansteuerung 2-Diode im TO-252 GehäuseRC-Drive 2 600...
Silizium-Schottky-DiodenMerkmale:• Für verlustarme, schnell wiederherstellende, Zählerschutz, Vorspannungsisolation...
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IKW25N120T21200V verlustarmes DuoPack IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ Technologie mit weicher, schnell...
IRF4905STRLPBF Transistor: P-MOSFET unipolar -55V -74A 200W D2PAK Infineon (IRF)
NPN mit Widerständen bestückter Transistor R1 = 10 kR2 = 47 k
BSC028N06NSATMA1 Transistor: N-MOSFET unipolar 60V 100A 83W PG-TDSON-8 INFINEON
Darlington-Transistor, NPN, 60V, 0,5A, 0,36W, SOT-23
IKW50N65F5650V Hochgeschwindigkeits-5 FAST IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in Kombination...
Darlington-Transistor, PNP, 60V, 0,5A, 1W, SOT-89
IGW40N60H3600V Hochgeschwindigkeits-IGBT : IGBT in TRENCHSTOP™ und Fieldstop-TechnologieMerkmale und...
Die neue L5 IGBT-Familie von Infineon mit niedriger Sättigungsspannung (V CE(sat)) TRENCHSTOP™ IGBT-Familie...
IKP20N65H5650V Hochgeschwindigkeits-DuoPack IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in Kombination...
IKP40N65F5650V Hochgeschwindigkeits-DuoPack FAST IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in...
2X BSC123N08NS3GATMA1 Transistor: N-MOSFET unipolar 80V 55A 66W PG-TDSON-8 INFIN
IKP15N65F5650V Hochgeschwindigkeits-DuoPack FAST IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in...
IKW40N65H5650V Hochgeschwindigkeits-DuoPack IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in Kombination...
IKW40N120H31200V Hochgeschwindigkeits-DuoPack IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ und Fieldstop-Technologie...
IGW50N65H5650V Hochgeschwindigkeits-IGBT : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 TechnologieMerkmale und Vorteile:• Hochgeschwindigkeits-H5...
NPN mit Widerständen bestückter Transistor R1 = 22 kR2 = 47 k
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IGW25N120H31200V Hochgeschwindigkeits-IGBT : IGBT in TRENCHSTOP™ und Fieldstop-TechnologieMerkmale und...
IGP06N60T600V Low Loss IGBT : IGBT in TRENCHSTOP™ und Fieldstop-TechnologieMerkmale und Vorteile:• Sehr...
Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszustand: 4.2mΩ Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art:...
Silizium-Schottky-DiodenMerkmale:• Für verlustarme, schnell wiederherstellende, Zählerschutz, Vorspannungsisolation...
IKP20N65F5650V Hochgeschwindigkeits-DuoPack FAST IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in...
Gate-Ladung: 80nC Polarisierung: unipolar Technologie: HEXFET Drainstrom: 72A Drain-Source Spannung:...
High Speed 650 V, 40 A hart schaltender TRENCHSTOPTM IGBT5 in einem TO-247-Gehäuse, zusammen mit einer...
600 V, 6 A IGBT Discrete mit rückwärts gerichteter Ansteuerung 2-Diode im SOT-223 GehäuseRC treibt 2...
1200V DC-1 kHz (Standard) Discrete Automotive IGBT in a TO-247AC package Niedriger Vce(on) Optimiert...
Infineon TLE4284DV33ATMA1 Positiv LDO-Spannungsregler, SMD, 3,3 V / 1A, TO-252 3-Pin x 10 Stück
Verlustleistung: 1.8W Gehäuse: SOT223 Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszustand: 0.24Ω...
Uces 1200 V, Ics25 30 A, Icpuls 60 A, Ptot 217 W, Ugeth 5 V, tdon 21 ns, tdoff 260 ns, To-247. Technische...
IKW25T1201200V verlustarmes DuoPack IGBT und Diode : IGBT in TrenchStop®- und Fieldstop-Technologie mit...
Der hart schaltende 600 V, 15 A Einzel-TRENCHSTOP™ IGBT3 Discrete im TO263 D2Pak-Gehäuse führt dank der...
IGW15N120H31200V Hochgeschwindigkeits-IGBT : IGBT in TRENCHSTOP™ und Fieldstop-TechnologieMerkmale und...
8X BSS87H6327FTSA1 Transistor: N-MOSFET unipolar 240V 0.26A 1W SOT89-4 INFINEON
IKZ75N65EH5650V Hochgeschwindigkeits-5 IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in Kombination...
IGP40N65H5650V IGBT-Hochgeschwindigkeitsschalter der fünften Generation in TRENCHSTOP™ 5-TechnologieMerkmale...
Low Loss DuoPack : IGBT in TRENCHSTOP™ und Fieldstop-Technologie mit weicher, schnell wiederherstellender...
Low Loss DuoPack : IGBT in 2nd generation TrenchStop®with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled...
IGP40N65F5650V FAST IGBT-Hochgeschwindigkeitsschalter der fünften Generation in TRENCHSTOP™ 5-TechnologieMerkmale...
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Technische Daten: Polung: P-Ch Gehäuse: SO8 U-max: 30V I-max: 10A P-max: 2,5W
Die RC-Drives IGBT-Technologie wurde von Infineon als kostenoptimierte Lösung für den sensiblen Markt...
IPB025N10N3GATMA1 Transistor: N-MOSFET unipolar 100V 180A 300W PG-TO263-7 INFINE
Technische Daten: Polung: N-Ch Gehäuse: SO8 U-max: 30V I-max: 18A P-max: 2,5W
NPN mit Widerständen bestückter Transistor R1 = 10 kR2 = 10 k
Fast IGBT in NPT-technology• niedrigerer Eoff im Vergleich zur vorherigen Generation• Kurzschlussfestigkeit...
PNP mit Widerstand bestückterr Transistor R1 = 4.7 k
BCR512NPN-Silizium-Digitaltransistor 50V 500mA 330mW• Eingebauter Vorspannungswiderstand (R1= 4,7 kO,...
Der Hochgeschwindigkeits-TRENCHSTOP™ IGBT3 mit 600 V und 30 A in einem TO263 D2Pak-Gehäuse bietet den...
NPN mit Widerständen bestückter Transistor R1 = 47 kR2 = 47 k
Infineon ICE2HS01GXUMA1 Spannungsregler, Resonanzmodus-Controller, 1,5 V / 5mA, DSO 20-Pin x 10 Stüc...
• Leistungsstarke monolithische Body-Diode mit niedriger Durchlassspannungentwickelt für sanfte Kommutierung•...
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BCR191... , PNP-Silizium-Digital-TransistorMerkmale:• Schaltkreis, Inverter, Schnittstellenschaltung,...
IGP30N65F5650V FAST IGBT-Hochgeschwindigkeitsschalter der fünften Generation in TRENCHSTOP™ 5-TechnologieMerkmale...
IKA08N65F5650V Hochgeschwindigkeits-DuoPack FAST IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in...
600 V, 6 A IGBT Discrete mit antiparalleler Diode im TO263-GehäuseDer hart schaltende 600 V, 6 A TRENCHSTOP™...
Uces 650 V, Ics25 74 A, Icpuls 120 A, Ptot 255 W, Ugeth 3,2 V, tdon 19 ns, tdoff 160 ns, To-247. Technische...
IPB320N20N3GATMA1 Transistor: N-MOSFET unipolar 200V 34A 136W PG-TO263-3 INFINEO
IKW15T1201200V verlustarmes DuoPack IGBT und Diode : IGBT in TrenchStop®- und Fieldstop-Technologie mit...
IKW30N65H5650V Hochgeschwindigkeits-DuoPack IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in Kombination...
IGP20N65F5650V FAST IGBT-Hochgeschwindigkeitsschalter der fünften Generation in TRENCHSTOP™ 5-TechnologieMerkmale...
IGP30N65H5650V IGBT-Hochgeschwindigkeitsschalter der fünften Generation in TRENCHSTOP™ 5-TechnologieMerkmale...
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600 V, 1 A IGBT Discrete mit rückwärtsgerichteter Ansteuerung 2-Diode im SOT-223 GehäuseRC Drives 2 600...
BCR555... , PNP-Silizium-Digital-TransistorMerkmale:• Schaltkreis, Inverter, Schnittstellenschaltung,...
32-Bit-Mikrocontroller mit ARM® Cortex®-M0 für eine breite Palette von preissensiblen Anwendungen, die...
Silizium-Schottky-DiodenMerkmale:• Für verlustarme, schnell wiederherstellende, Zählerschutz, Vorspannungsisolation...
600 V, 6 A IGBT Diskret im TO252-GehäuseDer hart schaltende 600 V, 6 A TRENCHSTOP™ IGBT3 in einem TO252-Gehäuse...
BCR158... , PNP-Silizium-Digital-TransistorMerkmale: • Schaltkreis, Inverter, Interfaceschaltung, Treiberschaltung•...
PNP-Darlington-Transistor in einem SOT223-Kunststoffgehäuse. NPN-Ergänzungen: BSP50, BSP51 und BSP52
2X BSC093N04LSGATMA1 Transistor: N-MOSFET unipolar 40V 40A 35W PG-TDSON-8 INFINE
IGW40N65F5650V Hochgeschwindigkeits-FAST IGBT : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 TechnologieMerkmale und Vorteile:-...
IKP20N60TXKSA1 Transistor: IGBT 600V 20A 166W TO220-3 INFINEON TECHNOLOGIES
IKW50N65H5650V Hochgeschwindigkeits-DuoPack IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in Kombination...
Infineon TLE42662GSV33HTMA2 Positiv Low Drop Spannungsregler, SMD, 3,3 V / 500mA, SOT-223 3+Tab-Pin x...
BCV46, PNP-Silizium-Darlington-TransistorenMerkmale:• Für allgemeine NF-Anwendungen• Hoher Kollektorstrom•...
IKW15N120H31200V Hochgeschwindigkeits-DuoPack IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ und Fieldstop-Technologie...
Infineon ICE3BR1765JXKLA1 Spannungsregler, PWM-Motorsteuerung, PDIP 8-Pin x 10 Stück
Technische Daten: Polung: N-Ch Gehäuse: To252Aa U-max: 55V I-max: 44A P-max: 107W
Der hart schaltende 600 V, 10 A Einzel-TRENCHSTOP™ IGBT3 Discrete im TO263 D2Pak-Gehäuse führt dank der...
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SPP80P06PHXKSA1 Transistor: P-MOSFET unipolar -60V -80A 340W PG-TO220-3 INFINEON
IGW50N65F5650V Hochgeschwindigkeits-FAST IGBT : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 TechnologieMerkmale und Vorteile:-...
Verpackungs-Art: Tube Gehäuse: PG-TO220-3 Widerstand im Leitungszustand: 0.13Ω Gate-Source Spannung:...
Kleinsignal Transistoren
600 V, 4 A IGBT Discrete mit rückwärts gerichteter Ansteuerung 2-Diode im SOT-223 GehäuseRC treibt 2...
NPN mit Widerständen bestückter Transistor R1 = 2.2 kR2 = 10 k
PNP-Silizium-Darlington-Transistoren• hoher Kollektorstrom• niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung•...
600 V, 1 A IGBT Discrete mit rückwärtsgerichteter Ansteuerung 2-Diode im SOT-223 GehäuseRC Drives 2 600...
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PNP mit Widerständen bestückter Transistor R1 = 10 kR2 = 47 k
NPN mit Widerständen bestückter Transistor R1 = 22 kR2 = 22 k
NPN mit Widerständen bestückter Transistor R1 = 10 kR2 = 10 k
SIPMOS® Kleinsignal-TransistorMerkmale• N-Kanal• Verarmungsmodus• dv /dt-geeignet• Pb-freie Bleibeschichtung;...