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I LOVE TEC ist eine Suchmaschine speziell für Technik- und Elektronikartikel.
Mit I LOVE TEC kannst Du ganz einfach nach Computern, Zubehör, Autoelektronik, HiFi-Bausteinen, Media oder Haushaltstechnik im Internet suchen - wir zeigen Dir die besten Angebote, die wir in mehreren hundert Online-Elektronikfachgeschäften finden konnten. Mit einem Klick gelangst Du auf die Seite des Online-Shops, in dem Du die Elektronikartikel kaufen kannst.

Freizeit & Bauelemente von INFINEON(144 Treffer)

BCR 133 SMD - NPN Silicon Digital Transistor, 50V, 100mA, 0,2 W, SOT-23 von Infineon
NPN mit Widerständen bestückter Transistor R1 = 10 kR2 = 10 k
BCR 133 SMD - NPN Silicon Digital Transistor, 50V, 100mA, 0,2 W, SOT-23
von Infineon
Bester Preis0,12 €
gefunden bei reichelt elektronik
zuletzt überprüft am 22.11.2024 um 01:34; der Preis kann sich seitdem geändert haben.
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IKD10N60RC2 - IGBT-Transistor, 600, V, 10, A, 79, W, TO-252 von Infineon
600 V, 10 A IGBT Discrete mit rückwärts gerichteter Ansteuerung 2-Diode im TO-252 GehäuseRC-Drive 2 600...
IKD10N60RC2 - IGBT-Transistor, 600, V, 10, A, 79, W, TO-252
von Infineon
Bester Preis0,99 €
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zuletzt überprüft am 22.11.2024 um 01:34; der Preis kann sich seitdem geändert haben.
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BAT 64-04 INF - Duale-Schottky-Dioden, 2 in Reihe, 40 V, 0,25 A, SOT-23 von Infineon
Silizium-Schottky-DiodenMerkmale:• Für verlustarme, schnell wiederherstellende, Zählerschutz, Vorspannungsisolation...
BAT 64-04 INF - Duale-Schottky-Dioden, 2 in Reihe, 40 V, 0,25 A, SOT-23
von Infineon
Bester Preis0,10 €
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Infineon Technologies IKW40N120H3FKSA1 IGBT TO-247 1200V Tube von INFINEON TECHNOLOGIES
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Infineon Technologies IKW40N120H3FKSA1 IGBT TO-247 1200V Tube
von INFINEON TECHNOLOGIES
Bester Preis10,99 €
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zuletzt überprüft am 22.11.2024 um 02:07; der Preis kann sich seitdem geändert haben.
53% Ersparnis
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digitalo 10,99 €
Computersalg 23,30 €
Infineon Technologies IKW15N120H3FKSA1 IGBT TO-247 1200V Tube von INFINEON TECHNOLOGIES
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Infineon Technologies IKW15N120H3FKSA1 IGBT TO-247 1200V Tube
von INFINEON TECHNOLOGIES
Bester Preis5,99 €
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zuletzt überprüft am 22.11.2024 um 02:07; der Preis kann sich seitdem geändert haben.
42% Ersparnis
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Computersalg 10,32 €
IKW 25N120 - IGBT-Transistor, N-CH, 1200V, 50A, 349W, TO-247 von Infineon
IKW25N120T21200V verlustarmes DuoPack IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ Technologie mit weicher, schnell...
IKW 25N120 - IGBT-Transistor, N-CH, 1200V, 50A, 349W, TO-247
von Infineon
Bester Preis5,80 €
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BCR 135W SMD - NPN Silicon Digital Transistor, 50V, 100mA, 0,25 W, SOT-323 von Infineon
NPN mit Widerständen bestückter Transistor R1 = 10 kR2 = 47 k
BCR 135W SMD - NPN Silicon Digital Transistor, 50V, 100mA, 0,25 W, SOT-323
von Infineon
Bester Preis0,12 €
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BSC028N06NSATMA1 Transistor: N-MOSFET unipolar 60V 100A 83W PG-TDSON-8 INFINEON von Infineon
BSC028N06NSATMA1 Transistor: N-MOSFET unipolar 60V 100A 83W PG-TDSON-8 INFINEON
BSC028N06NSATMA1 Transistor: N-MOSFET unipolar 60V 100A 83W PG-TDSON-8 INFINEON
von Infineon
Bester Preis11,30 €
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BCV47E6327HTSA1 - Darlington-Transistor, NPN, 60V, 0,5A, 0,36W, SOT-23 von Infineon
Darlington-Transistor, NPN, 60V, 0,5A, 0,36W, SOT-23
BCV47E6327HTSA1 - Darlington-Transistor, NPN, 60V, 0,5A, 0,36W, SOT-23
von Infineon
Bester Preis0,16 €
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zuletzt überprüft am 22.11.2024 um 01:34; der Preis kann sich seitdem geändert haben.
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10X BFR181E6327HTSA1 Transistor: NPN bipolar RF 12V 20mA 0,175W SOT23 INFINEON T von Infineon
Verlustleistung: 0.175W Polarisierung: bipolar Transistor-Art: RF Transistor-Typ: NPN Gehäuse: SOT23
10X BFR181E6327HTSA1 Transistor: NPN bipolar RF 12V 20mA 0,175W SOT23 INFINEON T
von Infineon
Bester Preis10,21 €
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IKW50N65F5 - IGBT-Transistor, N-Kanal, 650 V, 80 A, 305W, TO-247-3 von Infineon
IKW50N65F5650V Hochgeschwindigkeits-5 FAST IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in Kombination...
IKW50N65F5 - IGBT-Transistor, N-Kanal, 650 V, 80 A, 305W, TO-247-3
von Infineon
Bester Preis3,99 €
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BCV48H6327XTSA1 - Darlington-Transistor, PNP, 60V, 0,5A, 1W, SOT-89 von Infineon
Darlington-Transistor, PNP, 60V, 0,5A, 1W, SOT-89
BCV48H6327XTSA1 - Darlington-Transistor, PNP, 60V, 0,5A, 1W, SOT-89
von Infineon
Bester Preis0,31 €
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IGW40N60H3 - IGBT-Transistor, N-Kanal, 600 V, 80 A, 306W, TO-247-3 von Infineon
IGW40N60H3600V Hochgeschwindigkeits-IGBT : IGBT in TRENCHSTOP™ und Fieldstop-TechnologieMerkmale und...
IGW40N60H3 - IGBT-Transistor, N-Kanal, 600 V, 80 A, 306W, TO-247-3
von Infineon
Bester Preis3,99 €
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IKW75N65EL5 - IGBT-Transistor, 650 V, 80 A, 536 W, TO-247 von Infineon
Die neue L5 IGBT-Familie von Infineon mit niedriger Sättigungsspannung (V CE(sat)) TRENCHSTOP™ IGBT-Familie...
IKW75N65EL5 - IGBT-Transistor, 650 V, 80 A, 536 W, TO-247
von Infineon
Bester Preis7,10 €
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IKP20N65H5 - IGBT-Transistor, N-CH, 650V, 42A, 125W, TO-220 von Infineon
IKP20N65H5650V Hochgeschwindigkeits-DuoPack IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in Kombination...
IKP20N65H5 - IGBT-Transistor, N-CH, 650V, 42A, 125W, TO-220
von Infineon
Bester Preis2,80 €
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IKP40N65F5 - IGBT-Transistor, N-Kanal, 650 V, 74 A, 255W, TO-220 von Infineon
IKP40N65F5650V Hochgeschwindigkeits-DuoPack FAST IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in...
IKP40N65F5 - IGBT-Transistor, N-Kanal, 650 V, 74 A, 255W, TO-220
von Infineon
Bester Preis3,80 €
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zuletzt überprüft am 22.11.2024 um 01:34; der Preis kann sich seitdem geändert haben.
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2X BSC123N08NS3GATMA1 Transistor: N-MOSFET unipolar 80V 55A 66W PG-TDSON-8 INFIN von Infineon
2X BSC123N08NS3GATMA1 Transistor: N-MOSFET unipolar 80V 55A 66W PG-TDSON-8 INFIN
2X BSC123N08NS3GATMA1 Transistor: N-MOSFET unipolar 80V 55A 66W PG-TDSON-8 INFIN
von Infineon
Bester Preis9,83 €
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zuletzt überprüft am 22.11.2024 um 06:36; der Preis kann sich seitdem geändert haben.
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IPP037N08N3GXKSA1 Transistor: N-MOSFET unipolar 80V 100A 214W PG-TO220-3 INFINEO von Infineon
Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszustand: 3.7mΩ Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art:...
IPP037N08N3GXKSA1 Transistor: N-MOSFET unipolar 80V 100A 214W PG-TO220-3 INFINEO
von Infineon
Bester Preis11,40 €
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IKP15N65F5 - IGBT-Transistor, N-CH, 650V, 30A, 105W, TO-220 von Infineon
IKP15N65F5650V Hochgeschwindigkeits-DuoPack FAST IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in...
IKP15N65F5 - IGBT-Transistor, N-CH, 650V, 30A, 105W, TO-220
von Infineon
Bester Preis2,50 €
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zuletzt überprüft am 22.11.2024 um 01:34; der Preis kann sich seitdem geändert haben.
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IKW40N65H5 - IGBT-Transistor, N-CH, 650V, 74A, 255W, TO-247-3 von Infineon
IKW40N65H5650V Hochgeschwindigkeits-DuoPack IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in Kombination...
IKW40N65H5 - IGBT-Transistor, N-CH, 650V, 74A, 255W, TO-247-3
von Infineon
Bester Preis4,30 €
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IKW40N120H3 - IGBT-Transistor, N-Kanal, 1200 V, 80 A, 483 W, TO-247 von Infineon
IKW40N120H31200V Hochgeschwindigkeits-DuoPack IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ und Fieldstop-Technologie...
IKW40N120H3 - IGBT-Transistor, N-Kanal, 1200 V, 80 A, 483 W, TO-247
von Infineon
Bester Preis9,70 €
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zuletzt überprüft am 22.11.2024 um 01:34; der Preis kann sich seitdem geändert haben.
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IGW50N65H5 - IGBT-Transistor, N-CH, 650V, 80A, 305W, TO-247-3 von Infineon
IGW50N65H5650V Hochgeschwindigkeits-IGBT : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 TechnologieMerkmale und Vorteile:• Hochgeschwindigkeits-H5...
IGW50N65H5 - IGBT-Transistor, N-CH, 650V, 80A, 305W, TO-247-3
von Infineon
Bester Preis3,80 €
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zuletzt überprüft am 22.11.2024 um 01:34; der Preis kann sich seitdem geändert haben.
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BCR 142 SMD - NPN Silicon Digital Transistor, 50V, 100mA, 0,2 W, SOT-23 von Infineon
NPN mit Widerständen bestückter Transistor R1 = 22 kR2 = 47 k
BCR 142 SMD - NPN Silicon Digital Transistor, 50V, 100mA, 0,2 W, SOT-23
von Infineon
Bester Preis0,05 €
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zuletzt überprüft am 22.11.2024 um 01:34; der Preis kann sich seitdem geändert haben.
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IGW25N120H3 - IGBT-Transistor, N-CH, 1200V, 50A, 326W, TO-247-3 von Infineon
IGW25N120H31200V Hochgeschwindigkeits-IGBT : IGBT in TRENCHSTOP™ und Fieldstop-TechnologieMerkmale und...
IGW25N120H3 - IGBT-Transistor, N-CH, 1200V, 50A, 326W, TO-247-3
von Infineon
Bester Preis4,55 €
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zuletzt überprüft am 22.11.2024 um 01:34; der Preis kann sich seitdem geändert haben.
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IGP06N60T - IGBT-Transistor, N-Kanal, 600 V, 12 A, 88 W, TO-220 von Infineon
IGP06N60T600V Low Loss IGBT : IGBT in TRENCHSTOP™ und Fieldstop-TechnologieMerkmale und Vorteile:• Sehr...
IGP06N60T - IGBT-Transistor, N-Kanal, 600 V, 12 A, 88 W, TO-220
von Infineon
Bester Preis1,30 €
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zuletzt überprüft am 22.11.2024 um 01:34; der Preis kann sich seitdem geändert haben.
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2X IPP042N03LGXKSA1 Transistor: N-MOSFET unipolar 30V 70A 79W PG-TO220-3 INFINEO von Infineon
Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszustand: 4.2mΩ Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art:...
2X IPP042N03LGXKSA1 Transistor: N-MOSFET unipolar 30V 70A 79W PG-TO220-3 INFINEO
von Infineon
Bester Preis9,26 €
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zuletzt überprüft am 22.11.2024 um 06:36; der Preis kann sich seitdem geändert haben.
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BAT 64-06 INF - Duale-Schottky-Dioden, gemeinsame Anode, 40 V, 0,25 A, SOT-23 von Infineon
Silizium-Schottky-DiodenMerkmale:• Für verlustarme, schnell wiederherstellende, Zählerschutz, Vorspannungsisolation...
BAT 64-06 INF - Duale-Schottky-Dioden, gemeinsame Anode, 40 V, 0,25 A, SOT-23
von Infineon
Bester Preis0,08 €
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zuletzt überprüft am 22.11.2024 um 01:34; der Preis kann sich seitdem geändert haben.
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IKP20N65F5 - IGBT-Transistor, N-CH, 650V, 42A, 125W, TO-220 von Infineon
IKP20N65F5650V Hochgeschwindigkeits-DuoPack FAST IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in...
IKP20N65F5 - IGBT-Transistor, N-CH, 650V, 42A, 125W, TO-220
von Infineon
Bester Preis4,15 €
gefunden bei reichelt elektronik
zuletzt überprüft am 22.11.2024 um 01:34; der Preis kann sich seitdem geändert haben.
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IKW40N65H5FKS - IGBT-Transistor, 650 V, 74 A, 250W, TO-247 von Infineon
High Speed 650 V, 40 A hart schaltender TRENCHSTOPTM IGBT5 in einem TO-247-Gehäuse, zusammen mit einer...
IKW40N65H5FKS - IGBT-Transistor, 650 V, 74 A, 250W, TO-247
von Infineon
Bester Preis3,75 €
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zuletzt überprüft am 22.11.2024 um 01:34; der Preis kann sich seitdem geändert haben.
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INFINEON IGBT IGP40N65F5 von Infineon
Uces 650 V, Ics25 74 A, Icpuls 120 A, Ptot 250 W, Ugeth 4 V, tdon 20 ns, tdoff 175 ns, To-220. Technische...
INFINEON IGBT IGP40N65F5
von Infineon
Bester Preis 3,68 € 4,82 €
gefunden bei Pollin Electronic
zuletzt überprüft am 22.11.2024 um 00:02; der Preis kann sich seitdem geändert haben.
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IKN06N60RC2 - IGBT-Transistor, 600 V, 6 A, 7,2 W, SOT-223 von Infineon
600 V, 6 A IGBT Discrete mit rückwärts gerichteter Ansteuerung 2-Diode im SOT-223 GehäuseRC treibt 2...
IKN06N60RC2 - IGBT-Transistor, 600 V, 6 A, 7,2 W, SOT-223
von Infineon
Bester Preis0,83 €
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zuletzt überprüft am 22.11.2024 um 01:34; der Preis kann sich seitdem geändert haben.
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AUIRG4PH50S - IGBT-Transistor, 1200V, 57 A, von Infineon
1200V DC-1 kHz (Standard) Discrete Automotive IGBT in a TO-247AC package Niedriger Vce(on) Optimiert...
AUIRG4PH50S - IGBT-Transistor, 1200V, 57 A,
von Infineon
Bester Preis8,85 €
gefunden bei reichelt elektronik
zuletzt überprüft am 22.11.2024 um 01:34; der Preis kann sich seitdem geändert haben.
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Infineon TLE4284DV33ATMA1 Positiv LDO-Spannungsregler, SMD, 3,3 V / 1A, TO-252 3-Pin x 10 Stück von Infineon
Infineon TLE4284DV33ATMA1 Positiv LDO-Spannungsregler, SMD, 3,3 V / 1A, TO-252 3-Pin x 10 Stück
Infineon TLE4284DV33ATMA1 Positiv LDO-Spannungsregler, SMD, 3,3 V / 1A, TO-252 3-Pin x 10 Stück
von Infineon
Bester Preis11,84 €
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zuletzt überprüft am 22.11.2024 um 06:36; der Preis kann sich seitdem geändert haben.
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2X BSP373NH6327XTSA1 Transistor: N-MOSFET unipolar 100V 1.8A 1.8W SOT223 INFINEO von Infineon
Verlustleistung: 1.8W Gehäuse: SOT223 Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszustand: 0.24Ω...
2X BSP373NH6327XTSA1 Transistor: N-MOSFET unipolar 100V 1.8A 1.8W SOT223 INFINEO
von Infineon
Bester Preis8,92 €
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zuletzt überprüft am 22.11.2024 um 06:36; der Preis kann sich seitdem geändert haben.
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INFINEON IGBT IKW15N120H3 von Infineon
Uces 1200 V, Ics25 30 A, Icpuls 60 A, Ptot 217 W, Ugeth 5 V, tdon 21 ns, tdoff 260 ns, To-247. Technische...
INFINEON IGBT IKW15N120H3
von Infineon
Bester Preis 6,62 € 7,65 €
gefunden bei Pollin Electronic
zuletzt überprüft am 22.11.2024 um 00:02; der Preis kann sich seitdem geändert haben.
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IKW 25T120 - IGBT-Transistor, N-CH, 1200V, 50A, 190W, TO-247 von Infineon
IKW25T1201200V verlustarmes DuoPack IGBT und Diode : IGBT in TrenchStop®- und Fieldstop-Technologie mit...
IKW 25T120 - IGBT-Transistor, N-CH, 1200V, 50A, 190W, TO-247
von Infineon
Bester Preis5,75 €
gefunden bei reichelt elektronik
zuletzt überprüft am 22.11.2024 um 01:34; der Preis kann sich seitdem geändert haben.
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IGB15N60T - IGBT-Transistor, 600, V, 15, A, 130, W, D2Pak von Infineon
Der hart schaltende 600 V, 15 A Einzel-TRENCHSTOP™ IGBT3 Discrete im TO263 D2Pak-Gehäuse führt dank der...
IGB15N60T - IGBT-Transistor, 600, V, 15, A, 130, W, D2Pak
von Infineon
Bester Preis1,80 €
gefunden bei reichelt elektronik
zuletzt überprüft am 22.11.2024 um 01:34; der Preis kann sich seitdem geändert haben.
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IGW15N120H3 - IGBT-Transistor, N-CH, 1200V, 30A, 217W, TO-247-3 von Infineon
IGW15N120H31200V Hochgeschwindigkeits-IGBT : IGBT in TRENCHSTOP™ und Fieldstop-TechnologieMerkmale und...
IGW15N120H3 - IGBT-Transistor, N-CH, 1200V, 30A, 217W, TO-247-3
von Infineon
Bester Preis3,40 €
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zuletzt überprüft am 22.11.2024 um 01:34; der Preis kann sich seitdem geändert haben.
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8X BSS87H6327FTSA1 Transistor: N-MOSFET unipolar 240V 0.26A 1W SOT89-4 INFINEON von Infineon
8X BSS87H6327FTSA1 Transistor: N-MOSFET unipolar 240V 0.26A 1W SOT89-4 INFINEON
8X BSS87H6327FTSA1 Transistor: N-MOSFET unipolar 240V 0.26A 1W SOT89-4 INFINEON
von Infineon
Bester Preis8,40 €
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zuletzt überprüft am 22.11.2024 um 06:36; der Preis kann sich seitdem geändert haben.
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IKZ75N65EH5 - IGBT-Transistor, N-CH, 650V, 90A, 395W, TO-247-4 von Infineon
IKZ75N65EH5650V Hochgeschwindigkeits-5 IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in Kombination...
IKZ75N65EH5 - IGBT-Transistor, N-CH, 650V, 90A, 395W, TO-247-4
von Infineon
Bester Preis6,99 €
gefunden bei reichelt elektronik
zuletzt überprüft am 22.11.2024 um 01:34; der Preis kann sich seitdem geändert haben.
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IGP40N65H5 - IGBT-Transistor, N-CH, 650V, 74A, 250W, TO-220 von Infineon
IGP40N65H5650V IGBT-Hochgeschwindigkeitsschalter der fünften Generation in TRENCHSTOP™ 5-TechnologieMerkmale...
IGP40N65H5 - IGBT-Transistor, N-CH, 650V, 74A, 250W, TO-220
von Infineon
Bester Preis3,20 €
gefunden bei reichelt elektronik
zuletzt überprüft am 22.11.2024 um 01:34; der Preis kann sich seitdem geändert haben.
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IKP10N60T - IGBT-Transistor, N-Kanal, 600 V, 24 A, 110 W, TO-220 von Infineon
Low Loss DuoPack : IGBT in TRENCHSTOP™ und Fieldstop-Technologie mit weicher, schnell wiederherstellender...
IKP10N60T - IGBT-Transistor, N-Kanal, 600 V, 24 A, 110 W, TO-220
von Infineon
Bester Preis1,85 €
gefunden bei reichelt elektronik
zuletzt überprüft am 22.11.2024 um 01:34; der Preis kann sich seitdem geändert haben.
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IKW40N120T2FKS - IGBT-Transistor, 1200 V, 75 A, 480W, TO-247 von Infineon
Low Loss DuoPack : IGBT in 2nd generation TrenchStop®with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled...
IKW40N120T2FKS - IGBT-Transistor, 1200 V, 75 A, 480W, TO-247
von Infineon
Bester Preis6,10 €
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IGP40N65F5 - IGBT-Transistor, N-CH, 650V, 74A, 250W, TO-220 von Infineon
IGP40N65F5650V FAST IGBT-Hochgeschwindigkeitsschalter der fünften Generation in TRENCHSTOP™ 5-TechnologieMerkmale...
IGP40N65F5 - IGBT-Transistor, N-CH, 650V, 74A, 250W, TO-220
von Infineon
Bester Preis3,35 €
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G4PC50UD TRANSISTOR - ROHS - KONFORM von Infineon
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G4PC50UD TRANSISTOR - ROHS - KONFORM
von Infineon
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INFINEON Transistor, IRF7416PBF , SMD, Leistung von Infineon
Technische Daten: Polung: P-Ch Gehäuse: SO8 U-max: 30V I-max: 10A P-max: 2,5W
INFINEON Transistor, IRF7416PBF , SMD, Leistung
von Infineon
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IKD04N60R - IGBT-Transistor, 600 V, 4 A, 75 W, TO-252 von Infineon
Die RC-Drives IGBT-Technologie wurde von Infineon als kostenoptimierte Lösung für den sensiblen Markt...
IKD04N60R - IGBT-Transistor, 600 V, 4 A, 75 W, TO-252
von Infineon
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IPB025N10N3GATMA1 Transistor: N-MOSFET unipolar 100V 180A 300W PG-TO263-7 INFINE von Infineon
IPB025N10N3GATMA1 Transistor: N-MOSFET unipolar 100V 180A 300W PG-TO263-7 INFINE
IPB025N10N3GATMA1 Transistor: N-MOSFET unipolar 100V 180A 300W PG-TO263-7 INFINE
von Infineon
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INFINEON Transistor, IRF8736TRPBF , SMD, Leistung von Infineon
Technische Daten: Polung: N-Ch Gehäuse: SO8 U-max: 30V I-max: 18A P-max: 2,5W
INFINEON Transistor, IRF8736TRPBF , SMD, Leistung
von Infineon
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BCR 533 SMD - NPN Silicon Digital Transistor, 50V, 500mA, 0,33 W, SOT-23 von Infineon
NPN mit Widerständen bestückter Transistor R1 = 10 kR2 = 10 k
BCR 533 SMD - NPN Silicon Digital Transistor, 50V, 500mA, 0,33 W, SOT-23
von Infineon
Bester Preis0,22 €
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SGP 07N120 - IGBT-Transistor, N-CH, 1200V, 16,5A, 125W, TO-220 von Infineon
Fast IGBT in NPT-technology• niedrigerer Eoff im Vergleich zur vorherigen Generation• Kurzschlussfestigkeit...
SGP 07N120 - IGBT-Transistor, N-CH, 1200V, 16,5A, 125W, TO-220
von Infineon
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BCR 169 SMD - PNP Silicon Digital Transistor, 50V, 100mA, 0,2 W, SOT-23 von Infineon
PNP mit Widerstand bestückterr Transistor R1 = 4.7 k
BCR 169 SMD - PNP Silicon Digital Transistor, 50V, 100mA, 0,2 W, SOT-23
von Infineon
Bester Preis0,05 €
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BCR 512 SMD - NPN Silicon Digital Transistor, 50V, 500mA, 0,33 W, SOT-23 von Infineon
BCR512NPN-Silizium-Digitaltransistor 50V 500mA 330mW• Eingebauter Vorspannungswiderstand (R1= 4,7 kO,...
BCR 512 SMD - NPN Silicon Digital Transistor, 50V, 500mA, 0,33 W, SOT-23
von Infineon
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IGB30N60H3 - IGBT-Transistor, 600 V, 30 A, 187 W, D2Pak von Infineon
Der Hochgeschwindigkeits-TRENCHSTOP™ IGBT3 mit 600 V und 30 A in einem TO263 D2Pak-Gehäuse bietet den...
IGB30N60H3 - IGBT-Transistor, 600 V, 30 A, 187 W, D2Pak
von Infineon
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BCR 148W SMD - NPN Silicon Digital Transistor, 50V, 70mA, 0,25 W, SOT-323 von Infineon
NPN mit Widerständen bestückter Transistor R1 = 47 kR2 = 47 k
BCR 148W SMD - NPN Silicon Digital Transistor, 50V, 70mA, 0,25 W, SOT-323
von Infineon
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Infineon ICE2HS01GXUMA1 Spannungsregler, Resonanzmodus-Controller, 1,5 V / 5mA, DSO 20-Pin x 10 Stück von Infineon
Infineon ICE2HS01GXUMA1 Spannungsregler, Resonanzmodus-Controller, 1,5 V / 5mA, DSO 20-Pin x 10 Stüc...
Infineon ICE2HS01GXUMA1 Spannungsregler, Resonanzmodus-Controller, 1,5 V / 5mA, DSO 20-Pin x 10 Stück
von Infineon
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IHW20N120R5XK - IGBT-Transistor, 1200 V, 20 A, 288 W, TO-247 von Infineon
• Leistungsstarke monolithische Body-Diode mit niedriger Durchlassspannungentwickelt für sanfte Kommutierung•...
IHW20N120R5XK - IGBT-Transistor, 1200 V, 20 A, 288 W, TO-247
von Infineon
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Infineon Technologies IKW75N60TFKSA1 IGBT TO-247 600V Tube von INFINEON TECHNOLOGIES
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Infineon Technologies IKW75N60TFKSA1 IGBT TO-247 600V Tube
von INFINEON TECHNOLOGIES
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BCR 191 SMD - PNP Silicon Digital Transistor, 50 V, 100 mA, 0,2 W, SOT-23 von Infineon
BCR191... , PNP-Silizium-Digital-TransistorMerkmale:• Schaltkreis, Inverter, Schnittstellenschaltung,...
BCR 191 SMD - PNP Silicon Digital Transistor, 50 V, 100 mA, 0,2 W, SOT-23
von Infineon
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IGP30N65F5 - IGBT-Transistor, N-Kanal, 650 V, 55 A, 188 W, TO-220 von Infineon
IGP30N65F5650V FAST IGBT-Hochgeschwindigkeitsschalter der fünften Generation in TRENCHSTOP™ 5-TechnologieMerkmale...
IGP30N65F5 - IGBT-Transistor, N-Kanal, 650 V, 55 A, 188 W, TO-220
von Infineon
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IKA08N65F5 - IGBT-Transistor, N-CH, 650V, 10,8A, 31,2W, TO-220-Fullpak von Infineon
IKA08N65F5650V Hochgeschwindigkeits-DuoPack FAST IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in...
IKA08N65F5 - IGBT-Transistor, N-CH, 650V, 10,8A, 31,2W, TO-220-Fullpak
von Infineon
Bester Preis1,99 €
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IKB06N60T - IGBT-Transistor, 600 V, 6 A, 88 W, D2Pak von Infineon
600 V, 6 A IGBT Discrete mit antiparalleler Diode im TO263-GehäuseDer hart schaltende 600 V, 6 A TRENCHSTOP™...
IKB06N60T - IGBT-Transistor, 600 V, 6 A, 88 W, D2Pak
von Infineon
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INFINEON IGBT IGW40N65F5 von Infineon
Uces 650 V, Ics25 74 A, Icpuls 120 A, Ptot 255 W, Ugeth 3,2 V, tdon 19 ns, tdoff 160 ns, To-247. Technische...
INFINEON IGBT IGW40N65F5
von Infineon
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IPB320N20N3GATMA1 Transistor: N-MOSFET unipolar 200V 34A 136W PG-TO263-3 INFINEO von Infineon
IPB320N20N3GATMA1 Transistor: N-MOSFET unipolar 200V 34A 136W PG-TO263-3 INFINEO
IPB320N20N3GATMA1 Transistor: N-MOSFET unipolar 200V 34A 136W PG-TO263-3 INFINEO
von Infineon
Bester Preis13,86 €
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IKW15T120 - IGBT-Transistor, N-CH, 1200V, 30A, 110W, TO-247 von Infineon
IKW15T1201200V verlustarmes DuoPack IGBT und Diode : IGBT in TrenchStop®- und Fieldstop-Technologie mit...
IKW15T120 - IGBT-Transistor, N-CH, 1200V, 30A, 110W, TO-247
von Infineon
Bester Preis3,55 €
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IKW30N65H5 - IGBT-Transistor, N-Kanal, 650 V, 55 A, 188 W, TO-247-3 von Infineon
IKW30N65H5650V Hochgeschwindigkeits-DuoPack IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in Kombination...
IKW30N65H5 - IGBT-Transistor, N-Kanal, 650 V, 55 A, 188 W, TO-247-3
von Infineon
Bester Preis2,99 €
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IGP20N65F5 - IGBT-Transistor, N-CH, 650V, 42A, 125W, TO-220 von Infineon
IGP20N65F5650V FAST IGBT-Hochgeschwindigkeitsschalter der fünften Generation in TRENCHSTOP™ 5-TechnologieMerkmale...
IGP20N65F5 - IGBT-Transistor, N-CH, 650V, 42A, 125W, TO-220
von Infineon
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IGP30N65H5 - IGBT-Transistor, N-CH, 650V, 55A, 188W, TO-220 von Infineon
IGP30N65H5650V IGBT-Hochgeschwindigkeitsschalter der fünften Generation in TRENCHSTOP™ 5-TechnologieMerkmale...
IGP30N65H5 - IGBT-Transistor, N-CH, 650V, 55A, 188W, TO-220
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G4PC40W TRANSISTOR IGBT 600V 40A TO-247AC von Infineon
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G4PC40W TRANSISTOR IGBT 600V 40A TO-247AC
von Infineon
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IKN01N60RC2 - IGBT-Transistor, 600 V, 1 A, 5,1 W, SOT-223 von Infineon
600 V, 1 A IGBT Discrete mit rückwärtsgerichteter Ansteuerung 2-Diode im SOT-223 GehäuseRC Drives 2 600...
IKN01N60RC2 - IGBT-Transistor, 600 V, 1 A, 5,1 W, SOT-223
von Infineon
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BCR 555 SMD - PNP Silicon Digital Transistor, 50V, 500mA, 0,33 W, SOT-23 von Infineon
BCR555... , PNP-Silizium-Digital-TransistorMerkmale:• Schaltkreis, Inverter, Schnittstellenschaltung,...
BCR 555 SMD - PNP Silicon Digital Transistor, 50V, 500mA, 0,33 W, SOT-23
von Infineon
Bester Preis0,09 €
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XMC1100T016F0064 - ARM®Cortex®-M0 Mikrocontroller, 64/16 KB,TSSOP-16 von Infineon
32-Bit-Mikrocontroller mit ARM® Cortex®-M0 für eine breite Palette von preissensiblen Anwendungen, die...
XMC1100T016F0064 - ARM®Cortex®-M0 Mikrocontroller, 64/16 KB,TSSOP-16
von Infineon
Bester Preis1,70 €
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BAT 64-05 INF - Duale-Schottky-Dioden, gemeinsame Kathode, 40 V, 0,25 A, SOT-23 von Infineon
Silizium-Schottky-DiodenMerkmale:• Für verlustarme, schnell wiederherstellende, Zählerschutz, Vorspannungsisolation...
BAT 64-05 INF - Duale-Schottky-Dioden, gemeinsame Kathode, 40 V, 0,25 A, SOT-23
von Infineon
Bester Preis0,11 €
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IGD06N60T - IGBT-Transistor, 600 V, 6 A, 88 W, TO-252 von Infineon
600 V, 6 A IGBT Diskret im TO252-GehäuseDer hart schaltende 600 V, 6 A TRENCHSTOP™ IGBT3 in einem TO252-Gehäuse...
IGD06N60T - IGBT-Transistor, 600 V, 6 A, 88 W, TO-252
von Infineon
Bester Preis0,78 €
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INFINEON SMD Transistor BFN24 von Infineon
Hochvolt-Transistor, Npn, 250/250 V, 0,2 A, 0,36 W, Sot-23.
INFINEON SMD Transistor BFN24
von Infineon
Bester Preis0,02 €
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BCR 158 SMD - PNP Silicon Digital Transistor, 50V, 100mA, 0,2 W, SOT-23 von Infineon
BCR158... , PNP-Silizium-Digital-TransistorMerkmale: • Schaltkreis, Inverter, Interfaceschaltung, Treiberschaltung•...
BCR 158 SMD - PNP Silicon Digital Transistor, 50V, 100mA, 0,2 W, SOT-23
von Infineon
Bester Preis0,10 €
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BSP 62 SMD - Darlington-Transistor, PNP, 80V, 1A, 1,5W, SOT-223 von Infineon
PNP-Darlington-Transistor in einem SOT223-Kunststoffgehäuse. NPN-Ergänzungen: BSP50, BSP51 und BSP52
BSP 62 SMD - Darlington-Transistor, PNP, 80V, 1A, 1,5W, SOT-223
von Infineon
Bester Preis0,36 €
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2X BSC093N04LSGATMA1 Transistor: N-MOSFET unipolar 40V 40A 35W PG-TDSON-8 INFINE von Infineon
2X BSC093N04LSGATMA1 Transistor: N-MOSFET unipolar 40V 40A 35W PG-TDSON-8 INFINE
2X BSC093N04LSGATMA1 Transistor: N-MOSFET unipolar 40V 40A 35W PG-TDSON-8 INFINE
von Infineon
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IGW40N65F5 - IGBT-Transistor, N-Kanal, 650 V, 74 A, 250 W, TO-247-3 von Infineon
IGW40N65F5650V Hochgeschwindigkeits-FAST IGBT : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 TechnologieMerkmale und Vorteile:-...
IGW40N65F5 - IGBT-Transistor, N-Kanal, 650 V, 74 A, 250 W, TO-247-3
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Bester Preis3,50 €
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IKP20N60TXKSA1 Transistor: IGBT 600V 20A 166W TO220-3 INFINEON TECHNOLOGIES von Infineon
IKP20N60TXKSA1 Transistor: IGBT 600V 20A 166W TO220-3 INFINEON TECHNOLOGIES
IKP20N60TXKSA1 Transistor: IGBT 600V 20A 166W TO220-3 INFINEON TECHNOLOGIES
von Infineon
Bester Preis10,96 €
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zuletzt überprüft am 22.11.2024 um 06:36; der Preis kann sich seitdem geändert haben.
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IKW50N65H5 - IGBT-Transistor, N-CH, 650V, 80A, 305W, TO-247-3 von Infineon
IKW50N65H5650V Hochgeschwindigkeits-DuoPack IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in Kombination...
IKW50N65H5 - IGBT-Transistor, N-CH, 650V, 80A, 305W, TO-247-3
von Infineon
Bester Preis6,20 €
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Infineon TLE42662GSV33HTMA2 Positiv Low Drop Spannungsregler, SMD, 3,3 V / 500mA, SOT-223 3+Tab-Pin x 10 Stück von Infineon
Infineon TLE42662GSV33HTMA2 Positiv Low Drop Spannungsregler, SMD, 3,3 V / 500mA, SOT-223 3+Tab-Pin x...
Infineon TLE42662GSV33HTMA2 Positiv Low Drop Spannungsregler, SMD, 3,3 V / 500mA, SOT-223 3+Tab-Pin x 10 Stück
von Infineon
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BCV 46 SMD - PNP-Darlington-Transistor, 60 V, 0,5 A, hFE >2000, SOT-23 von Infineon
BCV46, PNP-Silizium-Darlington-TransistorenMerkmale:• Für allgemeine NF-Anwendungen• Hoher Kollektorstrom•...
BCV 46 SMD - PNP-Darlington-Transistor, 60 V, 0,5 A, hFE >2000, SOT-23
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IKW15N120H3 - IGBT-Transistor, N-Kanal, 1200 V, 30 A, 217 W, TO-247 von Infineon
IKW15N120H31200V Hochgeschwindigkeits-DuoPack IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ und Fieldstop-Technologie...
IKW15N120H3 - IGBT-Transistor, N-Kanal, 1200 V, 30 A, 217 W, TO-247
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Bester Preis5,99 €
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Infineon ICE3BR1765JXKLA1 Spannungsregler, PWM-Motorsteuerung, PDIP 8-Pin x 10 Stück von Infineon
Infineon ICE3BR1765JXKLA1 Spannungsregler, PWM-Motorsteuerung, PDIP 8-Pin x 10 Stück
Infineon ICE3BR1765JXKLA1 Spannungsregler, PWM-Motorsteuerung, PDIP 8-Pin x 10 Stück
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INFINEON Transistor, IRFR1205PBF , SMD, Leistung von Infineon
Technische Daten: Polung: N-Ch Gehäuse: To252Aa U-max: 55V I-max: 44A P-max: 107W
INFINEON Transistor, IRFR1205PBF , SMD, Leistung
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IGB10N60T - IGBT-Transistor, 600 V, 10 A, 110 W, D2Pak von Infineon
Der hart schaltende 600 V, 10 A Einzel-TRENCHSTOP™ IGBT3 Discrete im TO263 D2Pak-Gehäuse führt dank der...
IGB10N60T - IGBT-Transistor, 600 V, 10 A, 110 W, D2Pak
von Infineon
Bester Preis1,50 €
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Infineon Technologies IRL1004PBF MOSFET 1 N-Kanal 200W TO-220 von INFINEON TECHNOLOGIES
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Infineon Technologies IRL1004PBF MOSFET 1 N-Kanal 200W TO-220
von INFINEON TECHNOLOGIES
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SPP80P06PHXKSA1 Transistor: P-MOSFET unipolar -60V -80A 340W PG-TO220-3 INFINEON von Infineon
SPP80P06PHXKSA1 Transistor: P-MOSFET unipolar -60V -80A 340W PG-TO220-3 INFINEON
SPP80P06PHXKSA1 Transistor: P-MOSFET unipolar -60V -80A 340W PG-TO220-3 INFINEON
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IGW50N65F5 - IGBT-Transistor, N-Kanal, 650 V, 80 A, 305 W, TO-247-3 von Infineon
IGW50N65F5650V Hochgeschwindigkeits-FAST IGBT : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 TechnologieMerkmale und Vorteile:-...
IGW50N65F5 - IGBT-Transistor, N-Kanal, 650 V, 80 A, 305 W, TO-247-3
von Infineon
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2X SPP18P06PHXKSA1 Transistor: P-MOSFET unipolar -60V -18.7A 81.1W PG-TO220-3 IN von Infineon
Verpackungs-Art: Tube Gehäuse: PG-TO220-3 Widerstand im Leitungszustand: 0.13Ω Gate-Source Spannung:...
2X SPP18P06PHXKSA1 Transistor: P-MOSFET unipolar -60V -18.7A 81.1W PG-TO220-3 IN
von Infineon
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BCV 47 INF - Darlington-Transistor, NPN, 60V, 0,5A, 0,36W, SOT-23 von Infineon
Kleinsignal Transistoren
BCV 47 INF - Darlington-Transistor, NPN, 60V, 0,5A, 0,36W, SOT-23
von Infineon
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IKN04N60RC2 - IGBT-Transistor, 600 V, 4 A, 6,8 W, SOT-223 von Infineon
600 V, 4 A IGBT Discrete mit rückwärts gerichteter Ansteuerung 2-Diode im SOT-223 GehäuseRC treibt 2...
IKN04N60RC2 - IGBT-Transistor, 600 V, 4 A, 6,8 W, SOT-223
von Infineon
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BCR 505 SMD - NPN Silicon Digital Transistor, 50V, 500mA, 0,33 W, SOT-23 von Infineon
NPN mit Widerständen bestückter Transistor R1 = 2.2 kR2 = 10 k
BCR 505 SMD - NPN Silicon Digital Transistor, 50V, 500mA, 0,33 W, SOT-23
von Infineon
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BSP 60 SMD - Darlington-Transistor, PNP, 45V, 1A, 1,5W, SOT-223 von Infineon
PNP-Silizium-Darlington-Transistoren• hoher Kollektorstrom• niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung•...
BSP 60 SMD - Darlington-Transistor, PNP, 45V, 1A, 1,5W, SOT-223
von Infineon
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IKN03N60RC2 - IGBT-Transistor, 600 V, 3 A, 6,3 W, SOT-223 von Infineon
600 V, 1 A IGBT Discrete mit rückwärtsgerichteter Ansteuerung 2-Diode im SOT-223 GehäuseRC Drives 2 600...
IKN03N60RC2 - IGBT-Transistor, 600 V, 3 A, 6,3 W, SOT-223
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Infineon Technologies IRFP90N20DPBF MOSFET 1 N-Kanal 580W TO-247-3 von INFINEON TECHNOLOGIES
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Infineon Technologies IRFP90N20DPBF MOSFET 1 N-Kanal 580W TO-247-3
von INFINEON TECHNOLOGIES
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BCR 185 SMD - PNP Silicon Digital Transistor, 50V, 100mA, 0,2 W, SOT-23 von Infineon
PNP mit Widerständen bestückter Transistor R1 = 10 kR2 = 47 k
BCR 185 SMD - PNP Silicon Digital Transistor, 50V, 100mA, 0,2 W, SOT-23
von Infineon
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Infineon Technologies IRF630NPBF MOSFET 1 N-Kanal 82W TO-220AB von INFINEON TECHNOLOGIES
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Infineon Technologies IRF630NPBF MOSFET 1 N-Kanal 82W TO-220AB
von INFINEON TECHNOLOGIES
Bester Preis0,99 €
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BCR 141 SMD - NPN Silicon Digital Transistor, 50V, 100mA, 0,2 W, SOT-23 von Infineon
NPN mit Widerständen bestückter Transistor R1 = 22 kR2 = 22 k
BCR 141 SMD - NPN Silicon Digital Transistor, 50V, 100mA, 0,2 W, SOT-23
von Infineon
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